Наверх
4 комментария 24/02/2014

[MWC 2014] Новая память iNAND Extreme от SanDisk – ускоряемся

[MWC 2014] Новая память iNAND Extreme от SanDisk – ускоряемся

На данный момент развитие смартфонов и планшетов достигло того уровня, что недостаточная скорость их работы заключается не столько в процессоре или видеоускорителе, сколько в скорости чтения и записи встроенной памяти. Сейчас именно это является “узким горлышком” в бутылке смартфоностроения, и SanDisk с их iNAND Extreme обещают эту ситуацию исправить. Или попытаться.


Подумайте только, ее скорость случайной записи превосходит нынешнюю память в три раза, а чтения – в два! Построена память на спецификациях eMMC 5.0, которая как раз поддерживается в новом процессоре Snapdragon 801, а скорость последовательной записи/последовательного чтения составляет 80/300 Мб/с. Помимо прочего, поддерживается двухканальная архитектура.

Всего будет три версии iNAND Extreme, это привычные 16, 32 и 64 Гб, а ожидать в мобильной технике их стоит во втором квартале 2014 года.

 

Источник: BusinessWire

 

Если вы нашли ошибку, пожалуйста, выделите фрагмент текста и нажмите Ctrl+Enter.

4 комментария

сначала новые
по рейтингу сначала новые по хронологии
1

сандик быстрые и ненадежные, у меня две карты памяти сандикс за год сгорели

2
иваныч

а про память на мемристорах походу все забыли.

3
Iulian Levcic

встроеная или внешняя?

Автор4
Барышников Андрей

Встроенная.

Добавить комментарий

Такой e-mail уже зарегистрирован. Воспользуйтесь формой входа или введите другой.

Вы ввели некорректные логин или пароль

Извините, для комментирования необходимо войти.

Modal box

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: