Как обычно, в начале нового года мы ждем презентации флагманских смартфонов, которые будут работать на новейших чипсетах. Топовый SoC от Qualcomm получил название Snapdragon 845 и в сети уже появилась некоторая техническая информация о нём.

Чипсет будет производиться с использованием 10-нанометровой FinFET технологии первого поколения Low Power Early. Изготавливать SoC будет, скорее всего, компания TSMC, а не Samsung, которая объявила о начале производства чипов на основе 10-нанометровой FinFET технологии второго поколения Low Power Plus.

Snapdragon 845 получит четыре вычислительных ядра Kryo третьего поколения, которые основаны на архитектуре ARM Cortex-A75, и четыре энергоэффективных ядра на архитектуре Cortex-A53. За графику будет отвечать ядро Adreno 630, оптимизированное для дополненной и виртуальной реальностей.

Чипсет позволит устанавливать по две камеры с разрешением до 25 МП. Всего в смартфоне можно будет установить четыре камеры. Новый LTE-модем X20 увеличит максимальную скорость загрузки до 1.2 Гбит/с. Также заявлена поддержка Wi-Fi 802.11 ас (и WiGig 802.11 ad), Bluetooth 5 и технологии быстрой зарядки аккумуляторов Qualcomm Quick Charge.

Презентация Qualcomm Snapdragon 845 должна состоятся в первых числах декабря на конференции Snapdragon Technology Summit. Первыми смартфонами с новым чипсетом должны стать Samsung Galaxy S9 и S9 Plus.

Please wait...
Комменты

1 комментарий

сначала новые
по рейтингу сначала новые по хронологии
1

Эту новость кто только не перепостил. Но никто не обратил внимание на противоречие. Энергоэффиктивные ядра тут могут быть только А55, а не А53. Так как только первые предназначены для работы в паре с А75. О чем было сказано на презентации этих архитектур.

Новый комментарий

Такой e-mail уже зарегистрирован. Воспользуйтесь формой входа или введите другой.

Вы ввели некорректные логин или пароль

Извините, для комментирования необходимо войти.