Современные кремниевые транзисторы, несмотря на весь прогресс в плане миниатюризации и прочие свершения последних десятилетий, не могут считаться эталонными компонентами ни по габаритам, ни по скорости переключения режимов. Команда исследователей из Университета штата Юта взялась исправить это дело. И первые практические результаты их экспериментов весьма обнадеживают!
Исследовательская группа кафедры полупроводниковых материалов вышеупомянутого университета сделала ставку на применение в разы более дешевого, чем новомодные графен, борофен и прочие “2D-материалы” моноксида олова. Сравнительно дешевое и простое в производстве вещество при соответствующей обработке и технологическом процессе способно стать отличной основой для полностью планарных транзисторов обозримого будущего.
Пример устройства предыдущих поколений “кремниевых” 2D-транзисторов
Плюсы такого рода компонентов очевидны – отказ от третьего измерения позволяет кардинально уменьшить габариты микросхем в том, что касается высоты. Переход с кремния на подобную технологию способен как обеспечить уменьшение габаритов чипов, так и возможность создания более сложных и производительных устройств. Заявленная скорость переключения режимов у их разработки по словам одного из участников группы, Ашутоша Тивари, более чем в 100 раз превышает таковую у кремниевых аналогов!
Будущее 2D-транзисторов. Единицами измерения становятся атомы
Не стоит так же забывать и о терморежимах в сочетании с энергоэффективностью. Недостижимые для классических “трехмерных” аналогов скорости работы 2D-транзисторов, а так же их незначительный объем, обеспечивают существенно меньший нагрев при работе. Равно как и низкую теплоемкость .В плюсы технологии так же следует записать и принципиальную возможность создания гибких PCB. Логично предположить, что именно 2D-транзисторы станут фундаментом элементной базы для носимой электроники будущего.
От пассивных “меток” к полноценным электронным устройствам
Однако и этот проект, к сожалению, не лишен недостатков. Как это всегда бывает с новыми, зачастую революционными начинаниями, некоторые недостатки можно смело отнести к “детским болезням” и сознательно закрыть на них глаза. Но есть и такие, игнорировать которые не получается при всем желании:
Что же мы имеем в итоге? Бесспорно перспективную технологию, находящуюся пока лишь в зачаточном, далеком от промышленного применения состоянии. В то же время, ожидать от индустрии быстрого перехода с кремния на моноксид олова нельзя. Ведь это потребует колоссальных инвестиций и постройки принципиально новых производственных мощностей. При чем не только по прямому производству чипов, но и во всех сопутствующих сферах. А для того, чтобы ведущие производители всерьез рассматривали подобные варианты, преимущества 2D-транзисторов должны быть во-истину абсолютными. По моему мнению ожидать внедрения подобных технологий в серийное производство можно не ранее чем через 10-15 лет. К тому времени кремниевые чипы действительно могут достичь пика техпроцесса, преодолеть который им не позволят никакие ухищрения. Только в такой ситуации можно с уверенностью гарантировать переход на аналогичные моноксиду олова материалы. А что ты думаешь по этому поводу?
Ты всё сказал. Инвестиционное лобби будет выжидать до последнего цента.
К сожалению, это так. В кремний вложены слишком большие деньги для того, чтобы индустрия могла позволить себе резкий разворот в принципиально ином направлении