Samsung виходить на виставку Future of Memory and Storage (FMS) 2026 у Санта-Клара, Каліфорнія, з цілим арсеналом нових технологій пам’яті та накопичувачів. Найгучніші анонси – BV-NAND V10 із понад 400 шарами та фірмова zHBM, яка обіцяє вісімкратне перевищення продуктивності HBM5. Про це повідомляє GSMArena.
BV-NAND V10: 400+ шарів і щільність на 58% вища
Рівно через тринадцять років після того, як Samsung представила першу V-NAND, компанія першою в галузі розкрила десяте покоління – BV-NAND V10 (Bonded V-NAND). Флеш-пам’ять побудована з понад 400 шарів і використовує технологію бондингу для складання комірок пам’яті.
Порівняно з попереднім V9, нова версія збільшує щільність пам’яті приблизно на 58%. Більша кількість шарів забезпечує кращі показники читання, запису та I/O-продуктивності, а також підвищує енергоефективність.
zHBM: у вісім разів швидше за HBM5 – і прямо на чипі
Паралельно з HBM5, який Samsung представила на FMS як наступний великий галузевий стандарт High Bandwidth Memory (до цього компанія вже відправила зразки HBM4E клієнтам), компанія анонсувала власне рішення – zHBM. Воно обіцяє приблизно восьмикратне перевищення продуктивності HBM5, десятикратну щільність пам’яті відносно HBM5 і потрійну енергоефективність.
Ключова відмінність zHBM від традиційних рішень – розміщення. Замість того щоб стояти поруч із ШІ-прискорювачем на платі, zHBM монтується безпосередньо поверх нього. Це скорочує шлях сигналу до мінімуму – звідси і вища швидкість, і краща енергоефективність. Технологія орієнтована на ШІ-тренування та інференс у хмарі.
zNAND-O і LPDDR5X-PIM: ще два анонси з FMS 2026
Samsung також представила zNAND-O – флеш-пам’ять нового покоління на базі V-NAND. Компанія розробляє версії на 4 і 8 шари та обіцяє високу просторову ефективність, покращену I/O-продуктивність і нижчу затримку порівняно зі звичайними NAND-накопичувачами. На відміну від zHBM, zNAND-O націлена на edge AI – сценарії ближче до кінцевого користувача.
Ще один анонс – LPDDR5X-PIM, перша в галузі оперативна пам’ять LPDDR з Processing-In-Memory (PIM). Рішення частково обробляє дані прямо всередині модуля пам’яті, ще до передачі результатів процесору. Це покращує як пропускну здатність, так і енергоефективність.
Програмну доповідь на відкритті FMS 2026 під назвою “Driving the Wave of AI Revolution: 3D Innovations in Memory & Storage Architecture” представили Джін-Юб Лі, виконавчий віцепрезидент і керівник напряму Flash Product & Technology, та Кьонрьон Кім, віцепрезидент і керівник проєкту команди DRAM Design. У ній Samsung виклала своє бачення того, як максимізувати продуктивність ШІ-систем і знизити їхнє енергоспоживання.
